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SiR892DP
Vishay Siliconix
TYPICAL CHARACTERISTICS 25 °C, unless otherwise noted
100
10
1
T J = 150 °C
0.015
0.012
0.009
I D = 10 A
0.1
0.01
0.001
T J = 25 °C
0.006
0.003
0.000
T J = 125 °C
T J = 25 °C
0.0
0.2
0.4
0.6
0. 8
1.0
1.2
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.4
V SD - So u rce-to-Drain V oltage ( V )
Source-Drain Diode Forward Voltage
200
V GS - Gate-to-So u rce V oltage ( V )
On-Resistance vs. Gate-to-Source Voltage
160
0.1
120
- 0.2
- 0.5
- 0. 8
I D = 5 mA
I D = 250 μ A
8 0
40
0
- 50
- 25
0
25
50
75
100
125
150
0 . 0 0 1
0.01
0.1
1
1 0
T J - Temperat u re (°C)
Threshold Voltage
Time (s)
Single Pulse Power, Junction-to-Ambient
100
Limited b y R DS(on) *
10
10 ms
1
0.1
0.01
T A = 25 °C
Single P u lse
B V DSS
Limited
100 ms
1s
10 s
DC
0.01
0.1 1 10
100
V DS - Drain-to-So u rce V oltage ( V )
* V GS > minim u m V GS at w hich R DS(on) is specified
Safe Operating Area, Junction-to-Ambient
www.vishay.com
4
Document Number: 68639
S-83048-Rev. B, 22-Dec-08
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